Uburyo bwo gutegura silicon karbide

Kuri ubu, uburyo bwo gutegura bwaSiCcyane harimo uburyo bwa gel-sol, uburyo bwo gushiramo, uburyo bwo gutwika brush, uburyo bwo gutera plasma, uburyo bwa reaction ya gaze ya chimique (CVR) nuburyo bwo kubika imyuka ya chimique (CVD).

Uburyo bwo gushira:

Uburyo ni ubwoko bwubushyuhe bwo hejuru bwo gucamo ibice, bukoresha cyane cyane imvange yifu ya Si nifu ya C nkifu yinjizamo, matrix ya grafite ishyirwa mubifu, kandi ubushyuhe bwo hejuru bukorerwa muri gaze ya inert , na iSiCni Kuboneka Kuri Hejuru ya Matrix. Inzira iroroshye kandi guhuza hagati yigitereko na substrate nibyiza, ariko uburinganire bwikibiriti ku cyerekezo cyubugari ni bubi, byoroshye kubyara imyobo myinshi kandi biganisha ku kurwanya nabi okiside.

 

Brush uburyo bwo gutwikira:

Uburyo bwo gutwikisha brush ni uburyo bwo koza ibintu bibisi byamazi hejuru ya matrise ya grafite, hanyuma bigakiza ibikoresho bibisi mubushyuhe runaka kugirango utegure igifuniko. Inzira iroroshye kandi ikiguzi ni gito, ariko igipfundikizo cyateguwe nuburyo bwo gutwikira brush ni ntege nke hamwe na substrate, uburinganire bwa coating burakennye, igifuniko ni gito kandi irwanya okiside ni mike, kandi nubundi buryo burakenewe kugirango dufashe ni.

 

Uburyo bwo gutera plasma:

Uburyo bwo gutera plasma ni ugutera ahanini ibikoresho fatizo byashongeshejwe cyangwa byashongeshejwe hejuru ya matrise ya grafite hamwe nimbunda ya plasma, hanyuma bigakomera hanyuma bigahuza igipfundikizo. Uburyo bworoshe gukora kandi burashobora gutegura igipfundikizo cinshi cya silicon karbide, ariko karubide ya silicon carbide yateguwe nuburyo akenshi iba ifite intege nke cyane kandi itera imbaraga zo kurwanya okiside, bityo rero ikoreshwa muburyo bwo gutegura ibishishwa bya SiC kugirango bitezimbere ubwiza bw'igitambaro.

 

Uburyo bwa Gel-sol:

Uburyo bwa gel-sol nugutegura cyane cyane igisubizo kiboneye kandi kibonerana gikingira hejuru ya matrix, kuma muri gel hanyuma ugacumura kugirango ubone igifuniko. Ubu buryo buroroshye gukora kandi buke mubiciro, ariko igipfundikizo cyakozwe gifite ibitagenda neza nko guhangana nubushyuhe buke bwumuriro no guturika byoroshye, ntabwo rero bishobora gukoreshwa cyane.

 

Imyuka ya gazi (CVR):

CVR itanga cyaneSiCukoresheje ifu ya Si na SiO2 kugirango ubyare amavuta ya SiO mubushyuhe bwinshi, kandi urukurikirane rwibintu bya chimique bibaho hejuru ya C substrate substrate. UwitekaSiCbyateguwe nubu buryo buhujwe cyane na substrate, ariko ubushyuhe bwa reaction buri hejuru kandi ikiguzi ni kinini.

 

Kubika imyuka ya chimique (CVD):

Kugeza ubu, CVD nubuhanga nyamukuru bwo guteguraSiChejuru yubutaka. Inzira nyamukuru nuruhererekane rwibintu bya fiziki na chimique yibintu bya gaze ya gaze hejuru yubutaka, hanyuma amaherezo ya SiC itegurwa no kubitsa hejuru yubutaka. Ipitingi ya SiC yateguwe nubuhanga bwa CVD ihujwe cyane nubuso bwa substrate, bushobora kunoza neza kurwanya okiside no kurwanya abstratif yibikoresho bya substrate, ariko igihe cyo kohereza ubu buryo ni kirekire, kandi gaze ya reaction ifite uburozi runaka gaze.